說明：
WYLER 特殊應用案例ZeroMATIC 在潮濕環(huán)境下的長期監(jiān)測測量案例ZeroMATIC 2/2 測量范圍+/-1 度，顯示范圍+/-5 度ZeroMATIC 2/2 內置HTC 溫度補償曲線ZeroMATIC 2/2 置于 0065-007-SOLID 的密閉箱體內可保證IP67 的防水等級
說明：
汽車零件的精密測量中，有個讓人頭疼的“規(guī)矩”：基準必須統(tǒng)一。這意味著，測量轉向半軸的核心部件——鐘形殼時，內外尺寸必須在同一個坐標系、同一次裝夾下完成。零件一旦轉動或移動，數(shù)據(jù)就可能“對不上”，基準就失效了。為什么這個規(guī)矩這么“死”？因為鐘形殼不是普通零件。它的內腔裝著高速旋轉的滾珠，承載著行車安全。圖紙白紙黑字要求：內腔尺寸必須以外圓為基準測量。傳統(tǒng)方法遇到一個現(xiàn)實困境：要想測內外尺寸，就得轉動零件；但一轉，坐標系就變了。就像你要畫一幅人臉的正側面像，卻不準轉動畫板——幾乎是個“不可能的任務”。問題出在測量儀器的“胳膊不夠長”大多數(shù)輪廓儀采用杠桿式傳感器，它的Z軸測量范圍就像人的胳膊長度，有限制。當需要測量深度落差大的內外特征時，它的“胳膊”夠不著了，Z向范圍普遍≤90mm。工程師只能：測完外圓→移動/轉動零件→重新建立坐標系→再測內腔?；鶞式y(tǒng)一？早已在第一步就被打破。丹青Optacom的解法給儀器裝上“可伸縮的云臺”我們換了一條路：坐標聯(lián)動掃描技術。如果把測量想象成一次精密“手術”，Optacom不像傳統(tǒng)設備那樣只動“手術刀”（測針），而是讓“手術臺”（坐標軸）與“刀”協(xié)同運動。結果就是，它的Z向掃描范圍一舉拓展至≥225mm。帶來的改變是根本性的：鐘形殼被裝夾后，就再也不用動。巨大的Z向空間允許傳感器自由探入內腔深處，完整掃描內外輪廓。一次裝夾，一個坐標系，內外尺寸全部搞定。圖紙上那個嚴格的“基準統(tǒng)一”要求，從此從理論真正落地。為客戶帶來的，遠不止“合規(guī)”1. 數(shù)據(jù)真正可信：基準重合，測量結果直接反映裝配真實狀態(tài)。2. 效率大幅躍升：省去重復定位、坐標重置的時間，檢測周期縮短超50%。3. 操作極度簡化：降低了人員技能要求，特別適合生產現(xiàn)場快速抽檢。4. 安全防線前移：為轉向系統(tǒng)這類安全關鍵件，提供了更可靠、更高效的質控手段。測量不僅是判斷合格與否，更是工藝優(yōu)化的眼睛...
說明：
WYLER 特殊應用案例-風力發(fā)電機錨定過程的監(jiān)測風力發(fā)電機錨定過程的監(jiān)測風車塔身被拖拽到預定位置，再由三根海底鋼纜錨定在海底，Zerotronic 10 度兩只成正交放置在塔架頂部，用于塔架水平基位調整和長期監(jiān)測，傳感器必須能耐受在夯實過程中發(fā)生的高加速度。測量數(shù)據(jù)必須通過無線傳輸發(fā)送到控制整個過程的附近船只上。
說明：
WYLER 特殊應用案例-太陽能電池板周期調整太陽能電池板周期調整每個太陽能電池板的傾斜必須定期驗證，要求測量范圍高達60°。根據(jù)測試任務和精度要求，采用下面不同的解決方案：Clinotronic PLUS±60°或BlueCLINO ±60°進行安裝和定點校對測試ZEROTRONIC 傳感器±60°與電纜或使用藍牙無線傳輸和與PC 軟件連接進行長期監(jiān)測，定期檢查
說明：
硅晶片在溫度變化過程中的形貌測量快速熱處理（RTP）是硅晶片制造過程中的一個重要步驟，在這一過程中，晶片會在短時間內被加熱至高溫，然后以可控的方式緩慢冷卻，以賦予晶片所需的半導體特性。硅晶片在溫度變化過程中的形貌測量對其性能穩(wěn)定性至關重要。本文將探討瑞士丹青 S neox 三維輪廓測量系統(tǒng)在硅晶片溫度形貌測量方面的突出優(yōu)勢。硅晶片作為一種新型半導體材料，具有高熱導率、高電子遷移率和高穩(wěn)定性等優(yōu)點，因此在、汽車電子、可再生能源等領域具有廣泛的應用前景。然而，硅晶片在高溫度環(huán)境下的形貌變化對其性能有著重要影響，因此對其進行精確的溫度形貌測量至關重要。瑞士丹青 S neox 三維輪廓測量系統(tǒng)是一款高精度的非接觸式三維形貌測量儀，能夠在不同溫度下對硅晶片進行精確測量。通過采用先進的光學掃描技術，S neox 可以捕捉到晶片表面微小的形貌變化，為科研與生產提供可靠的數(shù)據(jù)支持。產品優(yōu)勢：1、高精度：瑞士丹青S neox 采用內先進的光學掃描技術，測量精度高達納米級別，確保了測量結果的準確性。2、非接觸式測量：避免了對碳化硅晶圓表面的物理損傷，確保了樣品的完整性。3、快速掃描：S neox具有快速掃描功能，能夠在短時間內完成大量樣品的測量，提高工作效率。通過S neox 的精確測量，科研人員和企業(yè)可以更好地了解硅晶片在溫度變化過程中的形貌變化規(guī)律，進而優(yōu)化生產工藝，提高產品質量。此外，SensoSCAN軟件可協(xié)助自動化操作，減少人工干預，提高測量效率和重復性。瑞士丹青 S neox三維輪廓測量系統(tǒng)作為一款先進的三維形貌測量儀，其在硅晶片溫度形貌測量方面具有顯著優(yōu)勢。借助S neox三維輪廓測量系統(tǒng) ，企業(yè)可以更好地掌握產品質量，提高生產效率，為我國半導體產業(yè)的發(fā)展貢獻力量。
說明：
現(xiàn)代半導體制造的目標是為便攜式產品開發(fā)具有越來越小和更薄封裝的電子設備。實現(xiàn)這一目標最重要的步驟之一是通過機械研磨工藝將加工后的硅晶片從背面減薄至 50μm 以下。為了避免應力和亞表面損傷，這對表面粗糙度要求非常高，在最終研磨步驟中，該粗糙度可能在 1 nm Ra 的范圍內。測量這一等級的表面粗糙度的常用方法是通過共聚焦顯微鏡 (CFM)、白光干涉儀 (WLI) 或原子力顯微鏡 (AFM) 進行單點或是劃線測量。但這些儀器的缺點是對機械環(huán)境噪聲敏感，測量時間長。這里，我們將介紹一種新型的散射光測量方法，該方法能夠在不到 30 秒的時間內測量直徑300 mm整個晶圓表面。除了粗糙度，傳感器還同時測量翹曲、波紋度和缺陷。同時將展現(xiàn)采用不同粒度研磨表面的測試結果分析。 晶圓表面加工工藝過程極小和高密度電子產品的趨勢需要先進的工藝來滿足設備的厚度和熱性能規(guī)格。這意味著處理后的硅晶片必須從其原始厚度超過 700 µm 減薄至 50 µm 或更小。最常見且成本相對較低的減薄方法是通過機械去除殘余硅的背面研磨。晶片固定在多孔真空吸盤上，IC（集成電路）面朝下。砂輪的旋轉軸與晶片的旋轉軸離軸定位（距離是晶片的半徑）。卡盤呈略呈圓錐形的形狀，以很小的傾斜度使晶片變形，以確保砂輪在研磨過程中僅接觸晶片的一半。由于卡盤的旋轉和砂輪的同時旋轉，在晶片表面上產生了典型的螺旋劃痕圖案。根據(jù)砂輪的粒度以及轉速和進給率等加工參數(shù)，這種機械沖擊是造成粗糙度、應力和誘發(fā)亞表面損傷的原因。因此，現(xiàn)代晶圓磨床從粗砂輪開始，先是快速去除多余硅，最后使用小粒度砂輪進行精細研磨。當減薄至 50 µm 以最大程度地減少次表面損傷和應力時，這個最終過程是絕對必要的。表面粗糙度通常應在 Ra 當前標準測量方法的局限性是砂輪與其大量單刀刃的相互作用，與硅表面經歷不均...