說明：
WYLER 特殊應(yīng)用案例ZeroMATIC 在潮濕環(huán)境下的長期監(jiān)測(cè)測(cè)量案例ZeroMATIC 2/2 測(cè)量范圍+/-1 度，顯示范圍+/-5 度ZeroMATIC 2/2 內(nèi)置HTC 溫度補(bǔ)償曲線ZeroMATIC 2/2 置于 0065-007-SOLID 的密閉箱體內(nèi)可保證IP67 的防水等級(jí)
![別轉(zhuǎn)！一動(dòng)就白測(cè)了。Optacom測(cè)量鐘形殼]( "別轉(zhuǎn)！一動(dòng)就白測(cè)了。Optacom測(cè)量鐘形殼")
說明：
汽車零件的精密測(cè)量中，有個(gè)讓人頭疼的“規(guī)矩”：基準(zhǔn)必須統(tǒng)一。這意味著，測(cè)量轉(zhuǎn)向半軸的核心部件——鐘形殼時(shí)，內(nèi)外尺寸必須在同一個(gè)坐標(biāo)系、同一次裝夾下完成。零件一旦轉(zhuǎn)動(dòng)或移動(dòng)，數(shù)據(jù)就可能“對(duì)不上”，基準(zhǔn)就失效了。為什么這個(gè)規(guī)矩這么“死”？因?yàn)殓娦螝げ皇瞧胀慵Ｋ膬?nèi)腔裝著高速旋轉(zhuǎn)的滾珠，承載著行車安全。圖紙白紙黑字要求：內(nèi)腔尺寸必須以外圓為基準(zhǔn)測(cè)量。傳統(tǒng)方法遇到一個(gè)現(xiàn)實(shí)困境：要想測(cè)內(nèi)外尺寸，就得轉(zhuǎn)動(dòng)零件；但一轉(zhuǎn)，坐標(biāo)系就變了。就像你要畫一幅人臉的正側(cè)面像，卻不準(zhǔn)轉(zhuǎn)動(dòng)畫板——幾乎是個(gè)“不可能的任務(wù)”。問題出在測(cè)量儀器的“胳膊不夠長”大多數(shù)輪廓儀采用杠桿式傳感器，它的Z軸測(cè)量范圍就像人的胳膊長度，有限制。當(dāng)需要測(cè)量深度落差大的內(nèi)外特征時(shí)，它的“胳膊”夠不著了，Z向范圍普遍≤90mm。工程師只能：測(cè)完外圓→移動(dòng)/轉(zhuǎn)動(dòng)零件→重新建立坐標(biāo)系→再測(cè)內(nèi)腔。基準(zhǔn)統(tǒng)一？早已在第一步就被打破。丹青Optacom的解法給儀器裝上“可伸縮的云臺(tái)”我們換了一條路：坐標(biāo)聯(lián)動(dòng)掃描技術(shù)。如果把測(cè)量想象成一次精密“手術(shù)”，Optacom不像傳統(tǒng)設(shè)備那樣只動(dòng)“手術(shù)刀”（測(cè)針），而是讓“手術(shù)臺(tái)”（坐標(biāo)軸）與“刀”協(xié)同運(yùn)動(dòng)。結(jié)果就是，它的Z向掃描范圍一舉拓展至≥225mm。帶來的改變是根本性的：鐘形殼被裝夾后，就再也不用動(dòng)。巨大的Z向空間允許傳感器自由探入內(nèi)腔深處，完整掃描內(nèi)外輪廓。一次裝夾，一個(gè)坐標(biāo)系，內(nèi)外尺寸全部搞定。圖紙上那個(gè)嚴(yán)格的“基準(zhǔn)統(tǒng)一”要求，從此從理論真正落地。為客戶帶來的，遠(yuǎn)不止“合規(guī)”1. 數(shù)據(jù)真正可信：基準(zhǔn)重合，測(cè)量結(jié)果直接反映裝配真實(shí)狀態(tài)。2. 效率大幅躍升：省去重復(fù)定位、坐標(biāo)重置的時(shí)間，檢測(cè)周期縮短超50%。3. 操作極度簡化：降低了人員技能要求，特別適合生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)快速抽檢。4. 安全防線前移：為轉(zhuǎn)向系統(tǒng)這類安全關(guān)鍵件，提供了更可靠、更高效的質(zhì)控手段。測(cè)量不僅是判斷合格與否，更是工藝優(yōu)化的眼睛...
說明：
WYLER 特殊應(yīng)用案例-風(fēng)力發(fā)電機(jī)錨定過程的監(jiān)測(cè)風(fēng)力發(fā)電機(jī)錨定過程的監(jiān)測(cè)風(fēng)車塔身被拖拽到預(yù)定位置，再由三根海底鋼纜錨定在海底，Zerotronic 10 度兩只成正交放置在塔架頂部，用于塔架水平基位調(diào)整和長期監(jiān)測(cè)，傳感器必須能耐受在夯實(shí)過程中發(fā)生的高加速度。測(cè)量數(shù)據(jù)必須通過無線傳輸發(fā)送到控制整個(gè)過程的附近船只上。
說明：
WYLER 特殊應(yīng)用案例-太陽能電池板周期調(diào)整太陽能電池板周期調(diào)整每個(gè)太陽能電池板的傾斜必須定期驗(yàn)證，要求測(cè)量范圍高達(dá)60°。根據(jù)測(cè)試任務(wù)和精度要求，采用下面不同的解決方案：Clinotronic PLUS±60°或BlueCLINO ±60°進(jìn)行安裝和定點(diǎn)校對(duì)測(cè)試ZEROTRONIC 傳感器±60°與電纜或使用藍(lán)牙無線傳輸和與PC 軟件連接進(jìn)行長期監(jiān)測(cè)，定期檢查
![硅晶片在溫度變化過程中的形貌測(cè)量]( "硅晶片在溫度變化過程中的形貌測(cè)量")
說明：
硅晶片在溫度變化過程中的形貌測(cè)量快速熱處理（RTP）是硅晶片制造過程中的一個(gè)重要步驟，在這一過程中，晶片會(huì)在短時(shí)間內(nèi)被加熱至高溫，然后以可控的方式緩慢冷卻，以賦予晶片所需的半導(dǎo)體特性。硅晶片在溫度變化過程中的形貌測(cè)量對(duì)其性能穩(wěn)定性至關(guān)重要。本文將探討瑞士丹青 S neox 三維輪廓測(cè)量系統(tǒng)在硅晶片溫度形貌測(cè)量方面的突出優(yōu)勢(shì)。硅晶片作為一種新型半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率和高穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，因此在、汽車電子、可再生能源等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，硅晶片在高溫度環(huán)境下的形貌變化對(duì)其性能有著重要影響，因此對(duì)其進(jìn)行精確的溫度形貌測(cè)量至關(guān)重要。瑞士丹青 S neox 三維輪廓測(cè)量系統(tǒng)是一款高精度的非接觸式三維形貌測(cè)量儀，能夠在不同溫度下對(duì)硅晶片進(jìn)行精確測(cè)量。通過采用先進(jìn)的光學(xué)掃描技術(shù)，S neox 可以捕捉到晶片表面微小的形貌變化，為科研與生產(chǎn)提供可靠的數(shù)據(jù)支持。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：1、高精度：瑞士丹青S neox 采用內(nèi)先進(jìn)的光學(xué)掃描技術(shù)，測(cè)量精度高達(dá)納米級(jí)別，確保了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性。2、非接觸式測(cè)量：避免了對(duì)碳化硅晶圓表面的物理損傷，確保了樣品的完整性。3、快速掃描：S neox具有快速掃描功能，能夠在短時(shí)間內(nèi)完成大量樣品的測(cè)量，提高工作效率。通過S neox 的精確測(cè)量，科研人員和企業(yè)可以更好地了解硅晶片在溫度變化過程中的形貌變化規(guī)律，進(jìn)而優(yōu)化生產(chǎn)工藝，提高產(chǎn)品質(zhì)量。此外，SensoSCAN軟件可協(xié)助自動(dòng)化操作，減少人工干預(yù)，提高測(cè)量效率和重復(fù)性。瑞士丹青 S neox三維輪廓測(cè)量系統(tǒng)作為一款先進(jìn)的三維形貌測(cè)量儀，其在硅晶片溫度形貌測(cè)量方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。借助S neox三維輪廓測(cè)量系統(tǒng) ，企業(yè)可以更好地掌握產(chǎn)品質(zhì)量，提高生產(chǎn)效率，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
![晶圓表面測(cè)量應(yīng)用開發(fā)背景]( "晶圓表面測(cè)量應(yīng)用開發(fā)背景")
說明：
現(xiàn)代半導(dǎo)體制造的目標(biāo)是為便攜式產(chǎn)品開發(fā)具有越來越小和更薄封裝的電子設(shè)備。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)最重要的步驟之一是通過機(jī)械研磨工藝將加工后的硅晶片從背面減薄至 50μm 以下。為了避免應(yīng)力和亞表面損傷，這對(duì)表面粗糙度要求非常高，在最終研磨步驟中，該粗糙度可能在 1 nm Ra 的范圍內(nèi)。測(cè)量這一等級(jí)的表面粗糙度的常用方法是通過共聚焦顯微鏡 (CFM)、白光干涉儀 (WLI) 或原子力顯微鏡 (AFM) 進(jìn)行單點(diǎn)或是劃線測(cè)量。但這些儀器的缺點(diǎn)是對(duì)機(jī)械環(huán)境噪聲敏感，測(cè)量時(shí)間長。這里，我們將介紹一種新型的散射光測(cè)量方法，該方法能夠在不到 30 秒的時(shí)間內(nèi)測(cè)量直徑300 mm整個(gè)晶圓表面。除了粗糙度，傳感器還同時(shí)測(cè)量翹曲、波紋度和缺陷。同時(shí)將展現(xiàn)采用不同粒度研磨表面的測(cè)試結(jié)果分析。 晶圓表面加工工藝過程極小和高密度電子產(chǎn)品的趨勢(shì)需要先進(jìn)的工藝來滿足設(shè)備的厚度和熱性能規(guī)格。這意味著處理后的硅晶片必須從其原始厚度超過 700 µm 減薄至 50 µm 或更小。最常見且成本相對(duì)較低的減薄方法是通過機(jī)械去除殘余硅的背面研磨。晶片固定在多孔真空吸盤上，IC（集成電路）面朝下。砂輪的旋轉(zhuǎn)軸與晶片的旋轉(zhuǎn)軸離軸定位（距離是晶片的半徑）。卡盤呈略呈圓錐形的形狀，以很小的傾斜度使晶片變形，以確保砂輪在研磨過程中僅接觸晶片的一半。由于卡盤的旋轉(zhuǎn)和砂輪的同時(shí)旋轉(zhuǎn)，在晶片表面上產(chǎn)生了典型的螺旋劃痕圖案。根據(jù)砂輪的粒度以及轉(zhuǎn)速和進(jìn)給率等加工參數(shù)，這種機(jī)械沖擊是造成粗糙度、應(yīng)力和誘發(fā)亞表面損傷的原因。因此，現(xiàn)代晶圓磨床從粗砂輪開始，先是快速去除多余硅，最后使用小粒度砂輪進(jìn)行精細(xì)研磨。當(dāng)減薄至 50 µm 以最大程度地減少次表面損傷和應(yīng)力時(shí)，這個(gè)最終過程是絕對(duì)必要的。表面粗糙度通常應(yīng)在 Ra 當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量方法的局限性是砂輪與其大量單刀刃的相互作用，與硅表面經(jīng)歷不均...